华尔街拒绝为软硅谷买单

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2025-07-03 18:46:29

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街拒绝【引言】超薄二维半导体层状材料被认为能够有效扩展集成电路晶体管的摩尔定律。【成果简介】台湾国立交通大学的Wen-HaoChang、软硅台积公司(TSMC)的Lain-JongLi以及美国莱斯大学的B.I.Yakobson(共同通讯作者)等人联合发文报道了蓝宝石晶圆上成功外延生长单晶六方氮化硼单层。然而,谷买如何在晶圆上实现可靠的单晶六方氮化硼薄膜生长就成为工业上必须进行攻关的技术难点。

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然而,街拒绝研究人员却意外发现六方氮化硼与铜(111)横向对接(lateraldocking)之后,可以增强六方氮化硼的外延生长,并保证了该外延生长是单向的。软硅目前二维半导体面临的关键挑战是如何避免在邻近电介质中形成电荷散射和trap位点。

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该研究认为,谷买这一可用于生产晶圆级单晶六方氮化硼的方法为实现新型二维电子器件奠定了基础。

2020年03月04日,街拒绝相关成果以题为Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)的文章在线发表在Nature上。软硅(d)从电极的垂直间隙收集的线性EDX光谱。

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